
威廉·肖克利(William Bradford Shockley,1910年2月13日-1989年8月12日)是一位英国出生的美国物理学家和发明家,一生共获得90多项专利。
他和约翰·巴丁、沃特豪斯·布喇顿(Walter Houser Brattain)共同发明了晶体管。他并因此获得1956年的诺贝尔物理奖。20世纪50-60年代,他在推动晶体管商业化的同时,造就了加利福尼亚州今天电子工业密布的硅谷地区。
肖克利在英国伦敦出生,父母是美国人。他在加利福尼亚州长大并于1932年本科毕业于加州理工学院。1936年他获得了麻省理工学院博士学位,其博士论文题目为计算氯化钠晶体内的电子密度函数。1936-1955年期间他在贝尔实验室工作,曾任晶体管物理部主任。1938年获第一个专利“电子倍增放电器”。1947年与他人合作发明了晶体管。1951年他成为美国国家科学院院士。
1955年,他在加州芒廷维尤(Mount View)创立了“肖克利实验室股份有限公司”,聘用了很多年轻优秀的人才。但很快肖克利个人的管理方法因其公司内部不合,八名主要员工(八叛逆)于1957年集体跳槽成立了仙童半导体公司(Fairchild Semiconductor),后来开发了第一块集成电路。而肖克利实验室则每况愈下,两次被转卖后于1968年永久关闭。
肖克利于1963年开始任斯坦福大学教授。他在晚年认为各种族的遗传水准有高有低,并支持鼓动智力低下者自愿绝育,因而在科学界和媒体界引起了争议。他于1989年因前列腺癌去世。
1951年:考克饶夫、瓦耳顿 | 1952年:布洛赫、珀塞耳 | 1953年:塞尔尼克 | 1954年:玻恩、博特 | 1955年:兰姆、库施
1956年:肖克莱、巴丁、布喇顿 | 1957年:杨振宁、李政道 | 1958年:切连科夫、弗兰克、塔姆 | 1959年:塞格雷、张伯伦 | 1960年:格拉泽
1961年:霍夫施塔特、穆斯堡尔 | 1962年:朗道 | 1963年:维格纳、梅耶、延森 | 1964年:汤斯、巴索夫、普罗霍罗夫
1965年:朝永振一郎、施温格、费曼 | 1966年:卡斯特勒 | 1967年:贝特 | 1968年:阿尔瓦雷茨 | 1969年:盖尔-曼 | 1970年:阿耳文、奈耳
1971年:伽柏 | 1972年:巴丁、库珀、施里弗 | 1973年:江崎玲于奈、贾埃弗、约瑟夫森 | 1974年:赖尔、休伊什 | 1975年:玻尔、莫特森、雷恩沃特
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